o nás
ElektronikaVýroba
Jiangsu Yangjie Runau Semicondutor Co., Ltd. je předním výrobcem výkonových polovodičových zařízení v Číně.Již téměř 30 let získává Runau odborné znalosti k poskytování nejinovativnějších řešení pro zajištění spolehlivého výkonu zařízení výkonové elektroniky.V lednu 2021 se Runau jako korporační společnost Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd, hlavní publikované korporace v hlavní Číně, blíží k velkému rozvoji výrobních kapacit ve vysoce výkonných polovodičových aplikacích.Kdykoli je to potřeba, naši technici, inženýři, výrobní tým a obchodníci úzce spolupracují s našimi zákazníky, aby zajistili vysokou kvalitu, dostupnost a energetický výkon jejich elektrických zařízení.
PRODUKTY
-
ČIP
Vysoký standard kvality
Vynikající parametry konzistence
Tyristorový čip: 25,4 mm–99 mm
Usměrňovací čip: 17 mm–99 mm -
Tyristor
Tyristor pro řízení fáze
Jmenovitý proud 100-5580A 100-8500V
Rychlý spínací tyristor
Jmenovitý proud 100-5000A 100-5000V -
Press-pack IGBT (IEGT)
Vysoká výkonová kapacita
Snadné připojení řady
Dobrý anti-šok
Vynikající tepelný výkon -
výkonová sestava
Buzení rotačního usměrňovače
Vysokonapěťový zásobník
Usměrňovací můstek
AC vypínač -
usměrňovací dioda
Standardní dioda
Rychlá dioda
Svařovací dioda
Otočná dioda -
chladič
Vzduchové chlazení řady SF
Vodní chlazení řady SS -
řada výkonových modulů
Mezinárodní standardní balíček
Komprimovat strukturu
Vynikající teplotní charakteristiky
Snadná instalace a údržba
V případě dotazů na naše produkty nebo ceník nám zanechte svůj e-mail a my se vám do 24 hodin ozveme.
POPTÁVKAVLASTNÍ PRODUKTY
-
Tyristorový čip
•Každý čip je testován v TJM, náhodná kontrola je přísně zakázána.
•Vynikající konzistence parametrů čipů
•Nízký pokles napětí v zapnutém stavu
• Silná odolnost proti tepelné únavě
•Tloušťka katodové hliníkové vrstvy je nad 10 µm
•Dvouvrstvá ochrana na stolové desce
-
Vysoce standardní tyristor
• Uplatněn vyšší výrobní standard
• Velmi nízký pokles napětí v zapnutém stavu
• Vhodné pro obvod sériového nebo paralelního připojení s přizpůsobenými hodnotami Qrr a VT
• Lepší výkon než obecný tyristor s fázovým řízením
• Navrženo speciálně pro rozvodnou síť a vyšší požadavky
• Kvalita produktu je běžným vojenským účelem
-
Tyristor řízení volně plovoucí fáze
• Technologie volně plovoucího křemíku
• Nízký pokles napětí v zapnutém stavu a spínací ztráty
• Optimální schopnost manipulace s výkonem
• Distribuovaná zesilovací brána
• Trakce a převod
• Přenos HVDC / SVC / Zdroj vysokého proudu
-
Vysoký standardní rychlý spínací tyristor
• Nově navržená zvětšená konstrukce brány
• Planární výrobní proces
• Rutheniem pokovený molybdenový kotouč
• Nízká spínací ztráta
• Vysoký di/dt výkon
• Vhodné pro invertor, DC chopper, UPS a pulzní napájení
• Navrženo speciálně pro rozvodnou síť a vyšší požadavky
• Kvalita produktu je běžným vojenským účelem
-
Vypínací tyristor brány GTO
Výrobní technologie GTO byla představena Runau v 90. letech 20. století z UK Marconi.A díly byly dodány globálním uživatelům se spolehlivým výkonem a byly uvedeny v:
• Kladný nebo záporný pulzní signál spouští zapnutí nebo vypnutí zařízení.
• Používá se hlavně pro aplikace s vysokým výkonem nad úroveň megawattů.
• Vysoké výdržné napětí, vysoký proud, silná přepěťová odolnost
• Měnič elektrického vlaku
• Dynamická kompenzace jalového výkonu rozvodné sítě
• Regulace rychlosti DC chopperu s vysokým výkonem
-
Svařovací dioda
• Vysoká průchodnost proudu
• Velmi nízký pokles napětí v propustném směru
• Velmi nízký tepelný odpor
• Vysoká provozní spolehlivost
• Vhodné pro střední nebo vysoké frekvence
• Usměrňovač odporové svářečky invertorového typu
-
Vysoce standardní napájecí modul
• Vysoce kvalitní výrobní standard, pouzdro modulu mezinárodní značky
• Navrženo pro uživatele s vyššími požadavky na výkon
• Elektrická izolace mezi čipem a základní deskou
• Mezinárodní standardní balíček
• Komprimujte strukturu
• Vynikající teplotní charakteristiky a schopnost cyklování napájení
-
tyristorový usměrňovač GTO pro elektrický vlak
Vysoce výkonná usměrňovací dioda a tyristor dodávané společností Runau Electronics tvoří obvod můstkového usměrňovače, který umožňuje plynulou regulaci napětí mezi stupni.Bezpečné a spolehlivé.2200V 2800V 4400V
-
Jemný začátek
Nižší vodivý úbytek napětí, silnější nadproudová schopnost, vyšší odolnost proti nárazu a napětí s cenově nejefektivnějším řešením, tyristor Runau dokonale poskytuje veškeré uspokojení komplexní aplikace softstartérů.
-
Svářečka
Svařovací dioda známá také jako ultravysokoproudová FRD dioda, vyznačující se vysokou proudovou hustotou, velmi nízkým napětím v zapnutém stavu a velmi nízkým tepelným odporem, nízkým prahovým napětím, malým odporem sklonu, vysokou teplotou přechodu.Runau svařovací diody IFAV se pohybují od 7100A do 18000A, které jsou široce používány u odporových svářeček s frekvencí od 1KHz do 5KHz.
-
Indukční ohřev
Fázově řízený tyristor a rychlý spínací tyristor jsou vyráběny vysoce standardním procesem, součástí čipu je celá difuzní struktura, optimalizovaný design distribuované brány, vynikající dynamický výkon, rychlý spínací výkon, nízká spínací ztráta, vysoce vhodné pro aplikace indukčního ohřevu.
