Tyristorový čip
Tyristorový čip
Tyristorový čip vyráběný společností RUNAU Electronics byl původně zaveden podle standardu a technologie zpracování GE, která je v souladu s aplikačním standardem USA a kvalifikovaná klienty z celého světa.Vyznačuje se vysokou odolností proti tepelné únavě, dlouhou životností, vysokým napětím, velkým proudem, silnou přizpůsobivostí prostředí atd. V roce 2010 RUNAU Electronics vyvinula nový vzor tyristorového čipu, který kombinuje tradiční výhodu GE a evropské technologie, výkon a účinnost byla výrazně optimalizována.
Parametr:
| Průměr mm | Tloušťka mm | Napětí V | Brána prům. mm | Vnitřní průměr katody. mm | Katoda Out Dia. mm | Tjm ℃ |
| 25.4 | 1,5±0,1 | ≤2000 | 2.5 | 5.6 | 20.3 | 125 |
| 25.4 | 1,6-1,8 | 2200-3500 | 2.6 | 5.6 | 15.9 | 125 |
| 29,72 | 2±0,1 | ≤2000 | 3.3 | 7.7 | 24.5 | 125 |
| 32 | 2±0,1 | ≤2000 | 3.3 | 7.7 | 26.1 | 125 |
| 35 | 2±0,1 | ≤2000 | 3.8 | 7.6 | 29.1 | 125 |
| 35 | 2,1-2,4 | 2200-4200 | 3.8 | 7.6 | 24.9 | 125 |
| 38.1 | 2±0,1 | ≤2000 | 3.3 | 7.7 | 32.8 | 125 |
| 40 | 2±0,1 | ≤2000 | 3.3 | 7.7 | 33.9 | 125 |
| 40 | 2,1-2,4 | 2200-4200 | 3.5 | 8.1 | 30.7 | 125 |
| 45 | 2,3 ± 0,1 | ≤2000 | 3.6 | 8.8 | 37.9 | 125 |
| 50.8 | 2,5±0,1 | ≤2000 | 3.6 | 8.8 | 43,3 | 125 |
| 50.8 | 2,6-2,9 | 2200-4200 | 3.8 | 8.6 | 41,5 | 125 |
| 50.8 | 2,6-2,8 | 2600-3500 | 3.3 | 7 | 41,5 | 125 |
| 55 | 2,5±0,1 | ≤2000 | 3.3 | 8.8 | 47,3 | 125 |
| 55 | 2,5-2,9 | ≤4200 | 3.8 | 8.6 | 45,7 | 125 |
| 60 | 2,6-3,0 | ≤4200 | 3.8 | 8.6 | 49,8 | 125 |
| 63,5 | 2,7-3,1 | ≤4200 | 3.8 | 8.6 | 53,4 | 125 |
| 70 | 3,0-3,4 | ≤4200 | 5.2 | 10.1 | 59,9 | 125 |
| 76 | 3,5-4,1 | ≤4800 | 5.2 | 10.1 | 65,1 | 125 |
| 89 | 4-4.4 | ≤4200 | 5.2 | 10.1 | 77,7 | 125 |
| 99 | 4,5-4,8 | ≤3500 | 5.2 | 10.1 | 87,7 | 125 |
Technické specifikace:
RUNAU Electronics dodává výkonové polovodičové čipy fázově řízeného tyristoru a tyristoru rychlého spínání.
1. Nízký pokles napětí v zapnutém stavu
2. Tloušťka hliníkové vrstvy je více než 10 mikronů
3. Dvouvrstvá ochranná mesa
Tipy:
1. Aby byl zachován lepší výkon, musí být čip uložen v dusíkovém nebo vakuovém stavu, aby se zabránilo změně napětí způsobené oxidací a vlhkostí kousků molybdenu
2. Udržujte povrch čipu vždy čistý, používejte rukavice a nedotýkejte se čipu holýma rukama
3. Během používání postupujte opatrně.Nepoškozujte pryskyřičný okrajový povrch čipu a hliníkovou vrstvu v oblasti pólu hradla a katody
4. Při zkoušce nebo zapouzdření mějte na paměti, že rovnoběžnost, rovinnost a svěrná síla přípravku se musí shodovat se specifikovanými normami.Špatná rovnoběžnost bude mít za následek nerovnoměrný tlak a poškození třísky silou.Při nadměrné upínací síle se čip snadno poškodí.Pokud je upínací síla příliš malá, špatný kontakt a odvod tepla ovlivní aplikaci.
5. Tlakový blok v kontaktu s katodovým povrchem čipu musí být žíhán
Doporučit upínací sílu
| Velikost čipů | Doporučení upínací síly |
| （KN）±10% | |
| Φ25.4 | 4 |
| Φ30 nebo Φ30,48 | 10 |
| Φ35 | 13 |
| Φ38 nebo Φ40 | 15 |
| Φ50,8 | 24 |
| Φ55 | 26 |
| Φ60 | 28 |
| Φ63,5 | 30 |
| Φ70 | 32 |
| Φ76 | 35 |
| Φ85 | 45 |
| Φ99 | 65 |