Normativní reference, které použila Jiangsu Yangjie Runau Semiconductor Co při výrobě svařovacích diod, byly následující:
1. GB/T 4023—1997 Diskrétní zařízení polovodičových zařízení a integrovaných obvodů Část 2: Usměrňovací diody
2. GB/T 4937—1995 Mechanické a klimatické zkušební metody pro polovodičová zařízení
3. JB/T 2423—1999 Výkonová polovodičová zařízení – metoda modelování
4. JB/T 4277—1996 Balení výkonových polovodičových zařízení
5. Zkušební metoda usměrňovací diody JB/T 7624—1994
Model A Velikost
1. Název modelu: Model svařovací diody odkazuje na předpisy JB/T 2423-1999 a význam každé části modelu je znázorněn na obrázku 1 níže:
2. Grafické symboly a identifikace terminálu (dílčí).
Grafické symboly a identifikace svorek jsou znázorněny na obrázku 2, šipka ukazuje na katodovou svorku.
3. Tvar a montážní rozměry
Tvar svařované diody je konvexní a diskového typu a tvar s velikostí by měl splňovat požadavky na obrázku 3 a tabulce 1.
| Položka | Rozměr (mm) | ||
| ZW7100 | ZW12000 | ZW16000/ZW18000 | |
| Katodová příruba (Dmax) | 61 | 76 | 102 |
| Katoda a anoda Mesa (D1) | 44±0,2 | 57±0,2 | 68±0,2 |
| Maximální průměr keramického kroužku (D2max) | 55,5 | 71,5 | 90 |
| Celková tloušťka (A) | 8±1 | 8±1 | 13±2 |
| Otvor pro montáž | Průměr otvoru: φ3,5 ± 0,2 mm, Hloubka otvoru: 1,5 ± 0,3 mm | ||
Hodnocení a vlastnosti
1. Úroveň parametrů
Série reverzního repetitivního špičkového napětí (VRRM) je uvedena v tabulce 2
Tabulka 2 Úroveň napětí
| VRRM(PROTI) | 200 | 400 |
| Úroveň | 02 | 04 |
2. Mezní hodnoty
Mezní hodnoty musí odpovídat tabulce 3 a platit pro celý rozsah provozních teplot.
Tabulka 3 Mezní hodnota
| Limitní hodnota | Symbol | Jednotka | Hodnota | |||
| ZW7100 | ZW12000 | ZW16000 | ZW18000 | |||
| Teplota pouzdra | Tcase | ℃ | -40-85 | |||
| Ekvivalentní teplota přechodu (max) | T(vj) | ℃ | 170 | |||
| Skladovací teplota | Tstg | ℃ | -40-170 | |||
| Opakované špičkové zpětné napětí (max) | VRRM | V | 200/400 | 200/400 | 200/400 | 200/400 |
| Reverzní neopakovatelné špičkové napětí (max | VRSM | V | 300/450 | 300/450 | 300/450 | 300/450 |
| Dopředný průměrný proud (max) | IF (AV) | A | 7100 | 12 000 | 16 000 | 18 000 |
| Dopředný (neopakující se) rázový proud (max) | IFSM | A | 55 000 | 85 000 | 120 000 | 135 000 |
| I²t (max.) | I²t | kA²s | 15100 | 36100 | 72 000 | 91 000 |
| Montážní síla | F | kN | 22-24 | 30–35 | 45-50 | 52-57 |
3. Charakteristické hodnoty
Tabulka 4 Maximální charakteristické hodnoty
| Charakter a stav | Symbol | Jednotka | Hodnota | |||
| ZW7100 | ZW12000 | ZW16000 | ZW18000 | |||
| Dopředné špičkové napětíIFM= 5000A, Tj= 25 ℃ | VFM | V | 1.1 | 1.08 | 1.06 | 1.05 |
| Reverzní opakující se špičkový proudTj= 25 ℃, Tj= 170 ℃ | IRRM | mA | 50 | 60 | 60 | 80 |
| Tepelný odpor Spojka-pouzdro | Rjc | ℃/W | 0,01 | 0,006 | 0,004 | 0,004 |
| Poznámka: pro speciální požadavky prosím konzultujte | ||||||
Thesvařovací diodavyrábí Jiangsu Yangjie Runau Semiconductor je široce používán v odporové svářečce, středofrekvenčním a vysokofrekvenčním svařovacím stroji až do 2000 Hz nebo vyšší.Díky ultra nízkému přednímu špičkovému napětí, ultra nízkému tepelnému odporu, nejmodernější výrobní technologii, vynikající substituční schopnosti a stabilnímu výkonu pro globální uživatele je svařovací dioda od Jiangsu Yangjie Runau Semiconductor jedním z nejspolehlivějších zařízení čínské energetiky. polovodičové výrobky.
Čas odeslání: 14. června 2023