Nedávno byla v Runau založena nová platforma pro návrh typové simulace výkonového polovodičového zařízení.S pomocí pokročilé simulační platformy a kombinovaného testu a analýzy proběhl hloubkový výzkum struktury zařízení a související základní teorie plodně.Díky využití nejmodernější teorie a výzkumné platformy společnost vyvinula a zvládla klíčovou technologii zpracování 5” tyristorového čipu, GTO a IGCT.V Runau byla úspěšně k dispozici plná procesní kapacita výroby tyristoru, usměrňovací diody, schottkyho modulu, IGCT, IGBT, vysokonapěťového a vysokoproudého tyristoru a také vybudování pilotní testovací platformy pro ultrarychlé diody.Další solidní krok k vybudování výrobní základny zařízení výkonové elektroniky v Číně, jsme na cestě.