Tyristor pro řízení fáze (legující typ)

Popis:

Tyristor, také známý jako Silicon Control Rectifier (SCR), je vysoce výkonné polovodičové zařízení sestávající ze tří PN struktur.Z hlediska výkonu má tyristor nejen jednosměrnou vodivost, ale má i cennější řiditelnost než křemíkový usměrňovací prvek, který má pouze dva stavy vodivosti a vypnutý, pro řízení velkého výkonu s malým výkonem, zesílení výkonu až stovky popř. tisíckrát.Reakce je velmi rychlá, zapnutí a vypnutí během mikrosekund.Bezkontaktní provoz, žádné jiskry, žádný hluk, při vysoké účinnosti a nízkých nákladech.Proto, zejména v systémech vysokého napájení, tyristor byl široce používán v obvodu usměrňovače, statického bypassového spínače, bezkontaktního výstupního spínače a dalších obvodů.

Výrobní standard a technologie zpracování tyristorů RUNAU Electronics byla zavedena z USA od 80. let 20. století, jako průkopník výroby tyristorů v Číně získal technický tým RUNAU špičkové znalosti a bohaté výrobní zkušenosti za více než 30 let.Na základě tradičního výrobního procesu vyvinuli talentovaní technici společnosti RUNAU Electronics nejmodernější technologii výroby tyristorů s výhodnými vlastnostmi evropských produktů, kvalita a výkon se výrazně zlepšily, bylo dosaženo více velkých výher v aplikaci výkonové elektroniky pole a pro partnery byla vytvořena větší hodnota.

Úvod:

1. Čip

Tyristorový čip vyrobený společností RUNAU Electronics je použit technologií sintrovaného legování.Křemíkový a molybdenový plátek byl slinován pro legování čistým hliníkem (99,999 %) za vysokého vakua a vysoké teploty.Správa charakteristik slinování je klíčovým faktorem ovlivňujícím kvalitu tyristoru.Know-how společnosti RUNAU Electronics kromě správy hloubky přechodu slitiny, rovinnosti povrchu, dutiny slitiny a také schopnosti plné difúze, středové brány, kruhového vzoru bylo použito k umožnění spolehlivého a vysoce účinného provozu vodivosti tyristoru. zajistit vysoce kvalitní výkon.

2. Zapouzdření

Přísnou kontrolou rovinnosti a rovnoběžnosti molybdenového plátku a vnějšího obalu budou čip a molybdenový plátek těsně a úplně integrovány s vnějším obalem.Tím se optimalizuje odolnost rázového proudu a vysokého zkratového proudu.A měření technologie elektronového odpařování bylo použito k vytvoření silného hliníkového filmu na povrchu křemíkové destičky a vrstva ruthenia nanesená na molybdenový povrch výrazně zvýší odolnost proti tepelné únavě, životnost tyristoru se výrazně prodlouží.

Technické specifikace

1. Fázově řízený tyristor se slitinovým čipem vyrobený společností RUNAU Electronics, řada I_TAVod 300A do 6000A a V_DRM/V_RRMod 800V do 4400V.
2. I_GT, V_GTa já_Hjsou zkušební hodnoty při 25 °C, pokud není uvedeno jinak, všechny ostatní parametry jsou zkušební hodnoty pod T_jm;
3. I²t=I²F SM×tw/2, tw= Šířka základny sinusového půlvlnného proudu.Při 50 Hz, I²t=0,005I²FSM(A²S);
4. Při 60 Hz: I_FSM(8,3 ms) = I_FSM(10 ms) × 1,066,T_j=T_j;já²t (8,3 ms) = I²t (10 ms) × 0,943, T_j=T_jm

Parametr: