Press-Pack IGBT
Press-pack IGBT (IEGT)
| TYP | VDRM V | VRRM V | IT(AV)@80℃ A | ITGQM@CS A / µF | ITSM@10 ms kA | VTM V | VTO V | rT mΩ | TVJM ℃ | Rthjc ℃/W | |
| CSG07E1400 | 1400 | 100 | 250 | 700 | 2 | 4 | ≤2,2 | ≤1,20 | ≤0,50 | 125 | 0,075 |
| CSG07E1700 | 1700 | 16 | 240 | 700 | 1.5 | 4 | ≤2,5 | ≤1,20 | ≤0,50 | 125 | 0,075 |
| CSG15F2500 | 2500 | 17 | 570 | 1500 | 3 | 10 | ≤2,8 | ≤1,50 | ≤0,90 | 125 | 0,027 |
| CSG20H2500 | 2500 | 17 | 830 | 2000 | 6 | 16 | ≤2,8 | ≤1,66 | ≤0,57 | 125 | 0,017 |
| CSG25H2500 | 2500 | 16 | 867 | 2500 | 6 | 18 | ≤3,1 | ≤1,66 | ≤0,57 | 125 | 0,017 |
| CSG30J2500 | 2500 | 17 | 1350 | 3000 | 5 | 30 | ≤2,5 | ≤1,50 | ≤0,33 | 125 | 0,012 |
| CSG10F2500 | 2500 | 15 | 830 | 1000 | 2 | 12 | ≤2,5 | ≤1,66 | ≤0,57 | 125 | 0,017 |
| CSG06D4500 | 4500 | 17 | 210 | 600 | 1 | 3.1 | ≤4,0 | ≤1,90 | ≤0,50 | 125 | 0,05 |
| CSG10F4500 | 4500 | 16 | 320 | 1000 | 1 | 7 | ≤3,5 | 1.9 | ≤0,35 | 125 | 0,03 |
| CSG20H4500 | 4500 | 16 | 745 | 2000 | 2 | 16 | ≤3,2 | ≤1,8 | ≤0,85 | 125 | 0,017 |
| CSG30J4500 | 4500 | 16 | 870 | 3000 | 6 | 16 | ≤4,0 | ≤2,2 | ≤0,60 | 125 | 0,012 |
| CSG40L4500 | 4500 | 16 | 1180 | 4000 | 3 | 20 | ≤4,0 | ≤2,1 | ≤0,58 | 125 | 0,011 |
Poznámka:D- s djodová část, A-bez diodové části
Obvykle byly moduly IGBT s pájecím kontaktem použity ve spínacím zařízení flexibilního stejnosměrného přenosového systému.Balení modulu je jednostranný odvod tepla.Výkonová kapacita zařízení je omezená a není vhodná pro sériové zapojení, špatná životnost ve slaném vzduchu, špatná odolnost proti vibracím nebo tepelná únava.
Nové lisovací kontaktní vysokovýkonné IGBT zařízení nejen kompletně řeší problémy s neobsazeností v pájecím procesu, tepelnou únavou pájecího materiálu a nízkou účinností jednostranného odvodu tepla, ale také eliminuje tepelný odpor mezi různými součástmi, minimalizovat rozměry a hmotnost.A výrazně zlepšit pracovní efektivitu a spolehlivost IGBT zařízení.Je docela vhodný pro splnění požadavků na vysoký výkon, vysoké napětí a vysokou spolehlivost flexibilního stejnosměrného přenosového systému.
Nahrazení typu pájecího kontaktu lisovacím IGBT je nezbytně nutné.
Od roku 2010 byla společnost Runau Electronics vyvíjena na vývoj nového typu lisovacího IGBT zařízení a v roce 2013 byla úspěšně zahájena výroba. Výkon byl certifikován národní kvalifikací a byl dokončen špičkový výkon.
Nyní můžeme vyrábět a poskytovat sériové lisovací IGBT řady IC v 600A až 3000A a VCES v 1700V až 6500V.Velmi se očekává skvělá vyhlídka lisovaného IGBT vyrobeného v Číně, který bude použit v Číně, flexibilní stejnosměrný přenosový systém a stane se dalším milníkem světové třídy v čínském energetickém průmyslu po vysokorychlostním elektrickém vlaku.
Krátké představení typického režimu:
1. Režim: Press-pack IGBT CSG07E1700
●Elektrické vlastnosti po zabalení a lisování
● Zpětný chodparalelnípřipojenodioda pro rychlou obnovuuzavřel
● Parametr:
Jmenovitá hodnota（25℃）
A.Napětí emitoru kolektoru: VGES=1700（V）
b.Napětí emitoru brány: VCES=±20（V）
C.Kolektorový proud: IC=800（A）ICP=1600（A）
d.Ztrátový výkon kolektoru: PC=4440（W）
E.Teplota pracovního spoje: Tj=-20~125℃
F.Skladovací teplota: Tstg=-40~125℃
Poznámka: Zařízení bude poškozeno, pokud překročí jmenovitou hodnotu
ElektrickýCcharakteristika, TC＝125℃，Rth (tepelný odporkřižovatka dopouzdro）není v ceně
A.Svodový proud brány: IGES=±5（μA）
b.Blokovací proud kolektorového emitoru ICES=250（mA）
C.Saturační napětí kolektorového emitoru: VCE(sat)=6(V)
d.Prahové napětí emitoru brány: VGE(th)=10(V)
E.Doba zapnutí: Ton=2,5μs
F.Čas vypnutí: Toff=3μs
2. Režim: Press-pack IGBT CSG10F2500
●Elektrické vlastnosti po zabalení a lisování
● Zpětný chodparalelnípřipojenodioda pro rychlou obnovuuzavřel
● Parametr:
Jmenovitá hodnota（25℃）
A.Napětí emitoru kolektoru: VGES=2500（V）
b.Napětí emitoru brány: VCES=±20（V）
C.Proud kolektoru: IC=600（A）ICP=2000（A）
d.Ztrátový výkon kolektoru: PC=4800（W）
E.Teplota pracovního spoje: Tj=-40~125℃
F.Skladovací teplota: Tstg=-40~125℃
Poznámka: Zařízení bude poškozeno, pokud překročí jmenovitou hodnotu
ElektrickýCcharakteristika, TC＝125℃，Rth (tepelný odporkřižovatka dopouzdro）není v ceně
A.Svodový proud brány: IGES=±15（μA）
b.Blokovací proud kolektorového emitoru ICES=25（mA）
C.Saturační napětí kolektoru: VCE(sat)=3,2 (V)
d.Prahové napětí emitoru brány: VGE(th)=6,3(V)
E.Doba zapnutí: Ton=3,2μs
F.Čas vypnutí: Toff=9,8μs
G.Propustné napětí diody: VF=3,2 V
h.Doba zotavení diody: Trr=1,0 μs
3. Režim: Press-pack IGBT CSG10F4500
●Elektrické vlastnosti po zabalení a lisování
● Zpětný chodparalelnípřipojenodioda pro rychlou obnovuuzavřel
● Parametr:
Jmenovitá hodnota（25℃）
A.Napětí emitoru kolektoru: VGES=4500（V）
b.Napětí emitoru brány: VCES=±20（V）
C.Proud kolektoru: IC=600（A）ICP=2000（A）
d.Ztrátový výkon kolektoru: PC=7700（W）
E.Teplota pracovního spoje: Tj=-40~125℃
F.Skladovací teplota: Tstg=-40~125℃
Poznámka: Zařízení bude poškozeno, pokud překročí jmenovitou hodnotu
ElektrickýCcharakteristika, TC＝125℃，Rth (tepelný odporkřižovatka dopouzdro）není v ceně
A.Svodový proud brány: IGES=±15（μA）
b.Blokovací proud kolektorového emitoru ICES=50（mA）
C.Saturační napětí kolektoru: VCE(sat)=3,9 (V)
d.Prahové napětí emitoru brány: VGE(th)=5,2 (V)
E.Doba zapnutí: Ton=5,5μs
F.Čas vypnutí: Toff=5,5μs
G.Propustné napětí diody: VF=3,8 V
h.Doba zotavení diody: Trr=2,0 μs
Poznámka:Press-pack IGBT má výhodu v dlouhodobé vysoké mechanické spolehlivosti, vysoké odolnosti proti poškození a vlastnostem struktury lisovaného spojení, je vhodný pro použití v sériovém zařízení a ve srovnání s tradičním tyristorem GTO je IGBT metoda napěťového pohonu .Proto je snadno ovladatelný, bezpečný a má široký provozní rozsah.